Наноқұрылымдалған кеуекті кремнийдің оптикалық-электрондық және наноөлшемдік ерекшеліктері

Авторы

  • К.К. Диханбаев әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
  • А.Б. Бекежанова әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
  • С.Б. Икрамова әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
  • Б.А. Ханиев әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
  • И.С. Тілеубаева әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті

##plugins.pubIds.doi.readerDisplayName##:

https://doi.org/10.51301/vest.su.2021.i4.14

Ключевые слова:

кремний, кеуекті кремний, наноқұрылымдар, анодтау тогының тығыздығы, фотолюминесценция, Раман спектрінің ығысуы, жарық өткізгіштік коэффициенті.

Аннотация

Бұл жұмыста электр-химиялық зарарсыздандыру арқылы алынған кеуекті наноқұрылымдалған кремнийдің оптикалық-электрондық қасиеттері қарастырылады. Электролит концентрациясы кеуектілік тереңдігіне, ал анодтау тогының тығыздығы кристаллиттердің тығыздығы мен мөлшеріне, сондай-ақ фотолюминесценция спектрлеріне әсер ететіні атап өтілді. Раман өлшеу нәтижелері 504 см -1 сызығындағы толқын санының төмен жиілікпен ығысатынын көрсетті, бұл Δω жиілік айырмашылығын толқын санының 16 см-1 бірлігіне өзгертеді, бұл ретте нанокристаллит көлденең қимасының диаметрі 2,3 нм - 4,3 нм аралығын құрайды.

Загрузки

Опубликован

2021-08-31

Как цитировать

Диханбаев, К. . . . . ., Бекежанова, А. . . . . ., Икрамова, С. ., Ханиев, Б. . . . . . ., & Тилеубаева, И. . (2021). Наноқұрылымдалған кеуекті кремнийдің оптикалық-электрондық және наноөлшемдік ерекшеліктері. Engineering Journal of Satbayev University, 143(4), 110–116. https://doi.org/10.51301/vest.su.2021.i4.14

Выпуск

Раздел

Физика-математикалық ғылымдар